万宁钢绞线厂 闪迪利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同

　　闪迪近日裸露项利闪现，公司提议基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构：将GPU或AI加快器等计较芯片胜仗集成在NAND/CMOS逻辑存储单位之上，并置于中介层，周围堆叠HBM芯片。其中HBM老成带宽低延长拜访万宁钢绞线厂，NAND层承担大容量读写与存储任务。

　　该谋略旨在缓解HBM容量受限问题（单堆约32–64GB）。此前闪迪提议HBF架构，通过TSV垂直堆叠NAND，容量可达4TB，较HBM进步8–16倍，但仍濒临延长与系统集成复杂度挑战。相较DRAM，钢绞线厂家NAND具备容量与低老本，但拜访速率慢。新架构通过3D分层，竣事了两者的互补。

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